华南理工大学材料科学与工程学院寸阳珂同学使用标旗光电电致发光光谱仪（测量系统）开展发光材料方面的研究，采集到随时间变化的三维动态光致发光光谱数据，在国际期刊《Journal of Materials Chemistry C》（2020年2月12日）上发表了题为“All-solution processsed high performance invered quantum dot”的高水平学术论文，影响因子6.64。 

摘要

    MOTFT具有高电子迁移率、低制造成本等优点。倒装QLEDs的阴极与n 型的MOTFT的漏极能够直接连接，降低了驱动像素的电压，具有n型MOTFT的QLEDs是有源矩阵驱动方案QLEDs的首选。然而，大多数倒装QLEDs是通过溶液沉积的QDs层与真空蒸镀的空穴传输层结合在一起制成的。与昂贵的真空工艺相比，溶液加工工艺的解决方案经济高效。针对全溶液倒装QLEDs的技术难点，着力解决PEDOT: PSS无法在空穴传输材料上成膜以及空穴注入势垒较大的问题。首次采用双掺杂的PEDOT: PSS，在疏水性PVK层上形成光滑均匀的膜。在QDs/PVK引入了界面偶极层PEI，PEI的引入不仅形成界面偶极降低空穴注入势垒，而且PEI中的胺基作为电子供体钝化电子陷阱，抑制荧光猝灭。进一步减小起亮电压和提高了器件效率和稳定性。全溶液倒装RGB-QLEDs最大CE分别达到28.1 cd/A，43.1 cd/A和1.26 cd/A，最大EQE分别增加到20.6 %，10.4 %和2.95 %，最大亮度分别达到5.06×104 cd/m2，1.21×105 cd/m2和2.96×103 cd/m2。根据目前所报道的文献，R-QLEDs的效率是全溶液倒装R-QLEDs中最高的EQE之一。此外，R-QLEDs的寿命T50@ 100 cd/m2延长至8253小时，创造了全溶液倒装R-QLEDs器件新的记录。

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